エピタキシャルシリコンウエーハおよびその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウエーハ用基板

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023765
公開番号（公開出願番号）：特開2000-219598
特許番号：特許第3601340号
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】直径250mm(10インチ)以上であって、全面がV領域(ここにV領域とは、空孔が自己格子間原子に比べ優勢な領域をいう)であるシリコンウエーハ上にエピタキシャル層を積んだエピタキシャルシリコンウエーハであり、前記エピタキシャル層上に、大きさ100nm以上、高さ5nm以上の突起が存在しないことを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。

IPC (2件)：