固体撮像装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-054032
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187857
出願日： 2010年03月11日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】微細化しても高いSN比を得ることを可能にする。【解決手段】第1導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素201であって、それぞれが半導体基板の第1面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第2導電型の半導体領域201aを有する複数の画素201と、半導体基板の第1面と反対の第2面側に設けられ、画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体領域の光が入射する側の面上に周期的に設けられた微細金属構造250と、微細金属構造と半導体領域との間に設けられた絶縁膜236aと、を備えている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素であって、それぞれが前記半導体基板の第1面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第2導電型の半導体領域を有する複数の画素と、前記半導体基板の前記第1面と反対の第2面側に設けられ、前記画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、前記半導体領域の前記光が入射する側の面上に周期的に設けられた微細金属構造と、前記微細金属構造と前記半導体領域との間に設けられた絶縁膜と、を備えていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H01L 31/10

FI (3件)：

H01L27/14 A , H01L31/10 A , H01L31/10 H

Fターム (26件)：

4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA04 , 4M118DD04 , 4M118DD09 , 4M118DD12 , 4M118FA33 , 4M118GA02 , 4M118GC08 , 4M118GC14 , 4M118GD04 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049NA04 , 5F049NA19 , 5F049NB05 , 5F049SE05 , 5F049SE11 , 5F049SE20 , 5F049SS03 , 5F049SZ12 , 5F049SZ13 , 5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

CMOS画像センサー
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-558046 出願人：クォンタムセミコンダクターリミテッドライアビリティカンパニー
光検出素子及び撮像素子、光検出方法及び撮像方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-164258 出願人：キヤノン株式会社
固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-025807 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る