半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：眞鍋潔 , 柏谷昭司 , 渡邊弘一 , 伊藤壽郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250037
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077328
特許番号：特許第4282842号
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】強誘電体膜或いは高誘電体膜のいずれかからなる誘電体膜を用いるとともに、電極としてPt、Ir、或いは、Ruの内のいずれか一つ或いはそれらの合金を含んだキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、前記誘電体膜に接する、Pt、Ir、或いは、Ruの内のいずれか一つ或いはそれらの合金を含んだ電極を堆積させた以降に、少なくとも一度、COを含んだ非プラズマガス雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：