メモリデバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：土井健二 , 林恒徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124284
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315388
特許番号：特許第3625688号
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のメモリセルを含む複数のセグメントを有するメモリデバイスにおいて、前記セグメント毎に設けられ、前記セグメントからの読み出しデータを入力するセンスバッファ及び前記セグメントに書込データを供給する書込アンプと、前記複数のセグメントの前記センスバッファに共通に設けられる読み出し共通データバスと、前記複数のセグメントの前記書込アンプに共通に設けられる書込共通データバスとを有する共通データバス群と、前記読み出し共通データバスからの読み出しデータを出力し、前記書込共通データバスに書込データを供給するデータ入出力回路とを有し、読み出しコマンドに応答して、前記センスバッファが前記読み出し用共通データバスを駆動し、バースト読み出しモードにおいて所定数のデータマスク信号が供給された後に供給される書込コマンドに応答して、前記データ入出力回路に取り込まれた書込データが前記書込用共通データバスに供給されることを特徴とするメモリデバイス。

IPC (2件)：

G11C 11/409 , G11C 11/407

FI (2件)：

G11C 11/34 354 R , G11C 11/34 362 S

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-210883 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-100861 出願人：松下電器産業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-126250 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (3件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-210883 出願人：日本電気株式会社
半導体メモリ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-143879 出願人：日本電気株式会社
特開平3-272090

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