特許
J-GLOBAL ID：201103074254043530

半導体装置の製造方法

発明者：
福泉 彰

福泉 彰 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-166962
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352009
特許番号：特許第3467454号
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (1)絶縁性基板に開口されたスルーホールに第1の導電性材料を充填して導電ポストを形成する工程と、(2)表面に電極が形成された半導体素子を、該電極を一部の前記導電ポストにフェースダウン方式にて接続することにより、前記絶縁性基板上に搭載する工程と、(3)断面形状が概略“冂”状の金属ブロックを、その内側天井に前記半導体素子の裏面を固着するとともにその両端部を他の前記導電ポストに固着することにより、上記絶縁性基板上に搭載する工程と、(4)前記半導体素子を樹脂封止する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記金属ブロックと他の前記導電ポスト、及び前記金属ブロックと前記半導体素子の裏面の各々を第2の導電性材料を介して同時に接続して固着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/28 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/29
FI (5件)：
H01L 23/28 J ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 501 B ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/36 A
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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