特許
J-GLOBAL ID：201103074300522073

半導体制御回路素子およびそれを用いた電気回路

発明者：
木村 親夫

木村 親夫 について

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玉井 秀昭

玉井 秀昭 について

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新井 学

新井 学 について

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黒木 太司

黒木 太司 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について

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黒木 太司

黒木 太司 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111280
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298201
特許番号：特許第4439673号
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 n型またはp型不純物がドーピングされたSi半導体層と、該Si半導体層にドーピングされ、該ドーピングされた部分の前記n型またはp型不純物を相殺して高抵抗化するAuとからなり、該Auを励起し得る波長より短く、かつ、前記Si半導体層を励起し得る波長より長い波長の光が照射され、または電界が印加されることにより、前記Auが励起され、前記光が照射または電界が印加された部分の前記Si半導体層の抵抗値を低下させ得る半導体制御回路素子。
IPC (7件)：
H01L 31/0248 ( 200 6.01) ,  G02B 6/42 ( 200 6.01) ,  H01C 10/00 ( 200 6.01) ,  H01G 7/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01P 11/00 ( 200 6.01)
FI (10件)：
H01L 31/08 H ,  G02B 6/42 ,  H01C 10/00 L ,  H01G 7/00 Z ,  H01L 27/04 V ,  H01L 27/04 R ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 M ,  H01P 11/00 G
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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