半導体デバイス及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：牛木護 , 吉田正義 , 今枝弘充 , 梅村裕明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-256756
公開番号（公開出願番号）：特開2011-103318
出願日： 2009年11月10日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：

【課題】従来よりも界面準位密度を低減させることができる半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】窒素ガス雰囲気下で低ダメージなECRプラズマを用いたECRプラズマ処理を行うことにより、III-V族化合物半導体層2の表面を窒化処理したことで、当該III-V族化合物半導体層2にIn-N結合及びGa-N結合を形成しAs酸化物を抑制して界面特性を向上させることができ、かくして従来よりも界面準位密度が低減されたMOSFET1を提供できる。また、アニール処理することにより、窒化処理層5においてGa-N結合が支配的となった界面結合状態を形成し、界面準位密度を一段と低減させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族元素としてGaを含み、前記III族元素とV族元素からなるIII-V族化合物半導体層を有する半導体デバイスにおいて、窒素ガス雰囲気中でのプラズマ処理により、前記III-V族化合物半導体層の表面が窒化処理された窒化処理層と、前記窒化処理層の表面に成膜された絶縁膜とを備えることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/324

FI (2件)：

H01L29/78 301H , H01L21/324 X

Fターム (31件)：

5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BB01 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG30 , 5F140BG37 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK20

引用特許：

審査官引用 (8件)

窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-193410 出願人：ローム株式会社
特開平3-273632
化合物半導体基板の前処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-024540 出願人：ソニー株式会社

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