特許
J-GLOBAL ID：200903047835073388

窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
大嶽 浩隆

大嶽 浩隆 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-193410
公開番号（公開出願番号）：特開2009-032796
出願日： 2007年07月25日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】表面リーク電流を低減することができる、III族窒化物半導体を用いた窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】この電界効果トランジスタは、n型GaN層3、p型GaN層4およびn型GaN層5が、順に積層された窒化物半導体積層構造部2を備えている。ゲート絶縁膜9が形成されている。このゲート絶縁膜9は、窒化物半導体積層構造部2の表面全域に接して形成された窒化シリコン膜20と、この窒化シリコン膜20の上に形成された酸化シリコン10膜とを備えている。ゲート絶縁膜9の上には、ゲート絶縁膜9を挟んで領域12に対向するようにゲート電極11が形成されている。また、窒化物半導体積層構造部2の引き出し部6の表面には、ドレイン電極7が接触形成されている。一方、窒化物半導体積層構造部2のn型GaN層5の頂面には、ソース電極13が接触形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体の表面に、酸素を含む絶縁膜を成膜する工程と、 前記絶縁膜の成膜工程前に、前記III族窒化物半導体を窒素雰囲気下に置く工程と、を含む、窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (4件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 C
Fターム (90件)：
5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BE01 ,  5F058BF14 ,  5F058BF15 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB12 ,  5F110CC09 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG22 ,  5F110GG32 ,  5F110GG37 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ17 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK11 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F140AA24 ,  5F140AC23 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA10 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB03 ,  5F140BB05 ,  5F140BB06 ,  5F140BB15 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF44 ,  5F140BG30 ,  5F140BH02 ,  5F140BH07 ,  5F140BH21 ,  5F140BH25 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (12件)
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