特許
J-GLOBAL ID：201103077105676286
半導体力学量センサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-060565
公開番号（公開出願番号）：特開2011-194478
出願日： 2010年03月17日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】2つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。【解決手段】第1半導体基板120に配線部パターン133および周辺部パターン134を含んだパターン部130を形成したものを用意し、第2半導体基板142上に第1絶縁層144を形成した支持基板140を用意する。そして、配線部パターン133および周辺部パターン134を第1絶縁層144に直接接合することにより、第1半導体基板120と支持基板140とを貼り合わせる。この後、第1半導体基板120にセンサ構造体110を形成し、周辺部150にキャップ200を接合する。そして、キャップ200に第1〜第4貫通電極部300〜330を形成することにより半導体力学量センサが完成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一面(121)を有する第1半導体基板(120)を用意し、この第1半導体基板(120)の一面(121)に配線としての配線部パターン(133)を含むパターン部(130)を形成する工程と、
一面(141)を有すると共に、少なくとも当該一面(141)側が絶縁材料で構成された支持基板(140)を用意する工程と、
前記第1半導体基板(120)上の前記パターン部(130)と前記支持基板(140)の一面(141)とを向かい合わせると共に、前記パターン部(130)と前記支持基板(140)の一面(141)とを接合することにより、前記第1半導体基板(120)と前記支持基板(140)とを貼り合わせる工程と、
前記第1半導体基板(120)に、前記配線部パターン(133)に電気的に接続されるセンサ構造体(110)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (5件)：
B81C 3/00
, G01P 15/125
, G01P 15/08
, H01L 29/84
, B81B 3/00
B81C3/00
, G01P15/125 V
, G01P15/08 P
, H01L29/84 Z
, B81B3/00
3C081AA19
, 3C081BA30
, 3C081BA32
, 3C081BA44
, 3C081BA48
, 3C081CA03
, 3C081CA05
, 3C081CA13
, 3C081CA14
, 3C081CA15
, 3C081CA19
, 3C081CA20
, 3C081CA29
, 3C081CA32
, 3C081DA03
, 3C081DA06
, 3C081DA07
, 3C081DA22
, 3C081DA27
, 3C081DA29
, 3C081DA30
, 3C081EA02
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA25
, 4M112CA26
, 4M112CA29
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112CA35
, 4M112DA02
, 4M112DA05
, 4M112DA06
, 4M112DA11
, 4M112DA15
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112EA01
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA05
, 4M112EA06
, 4M112EA08
, 4M112EA10
, 4M112EA11
, 4M112EA12
, 4M112EA13
, 4M112EA18
, 4M112FA01
, 4M112FA09
, 4M112FA20
, 4M112GA01
, 4M112GA03
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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