半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-297854
公開番号（公開出願番号）：特開2009-124013
出願日： 2007年11月16日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】加速度センサや角速度センサのようにバルクマイクロマシニング技術により形成したMEMSセンサとLSI回路からなる半導体装置の小型化や薄型化と、高感度化を両立しつつ、MEMSセンサとLSI回路からなる半導体装置の実装構造を簡易化する。【解決手段】SOI基板のシリコン層102上にMISFETや配線を有する集積回路を形成し、SOI基板の基板層100を加工して、構造体125を含むMEMSセンサを形成している。すなわち、SOI基板の両面を使用して、1つのSOI基板に集積回路とMEMSセンサを搭載する。そして、集積回路とMEMSセンサとは、SOI基板の内部に設けられている貫通電極121によって電気的に接続されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(a)基板層と、前記基板層上に形成された埋め込み絶縁層と、前記埋め込み絶縁層上に形成された半導体層とを有するSOI基板と、 (b)前記SOI基板の前記半導体層上に形成された集積回路と、 (c)前記SOI基板の前記基板層を加工して形成された半導体素子とを備え、前記集積回路は、 (b1)前記半導体層上に形成された複数のMISFETと、 (b2)前記複数のMISFETを電気的に接続する配線とを有し、前記半導体素子は、 (c1)前記基板層を加工して形成された固定部と、 (c2)前記固定部と機械的に接続され、可動可能な構造体と、 (c3)前記構造体を囲むように形成された空洞部とを有し、前記集積回路と前記半導体素子とは電気的に接続されており、前記集積回路と前記半導体素子の電気的な接続は、前記SOI基板の内部に形成された貫通電極によって行なわれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 29/84 , H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/08 , G01P 15/125 , G01P 9/04 , G01C 19/56 , H01L 27/00 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , B81B 3/00

FI (12件)：

H01L29/84 Z , H01L29/78 626C , H01L29/78 613Z , H01L27/06 102A , H01L27/08 331E , G01P15/125 Z , G01P9/04 , G01C19/56 , H01L27/20 , H01L27/00 301C , H01L21/88 J , B81B3/00

Fターム (137件)：

2F105BB04 , 2F105BB13 , 2F105CD01 , 2F105CD05 , 2F105CD13 , 3C081AA11 , 3C081BA07 , 3C081BA22 , 3C081BA30 , 3C081BA32 , 3C081BA44 , 3C081BA46 , 3C081BA48 , 3C081BA74 , 3C081CA03 , 3C081CA13 , 3C081DA04 , 3C081EA02 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA26 , 4M112CA31 , 4M112CA32 , 4M112DA02 , 4M112DA06 , 4M112DA10 , 4M112DA14 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112EA13 , 4M112FA20 , 4M112GA01 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ04 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK25 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033MM30 , 5F033NN05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ18 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ91 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR30 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT07 , 5F033TT08 , 5F033UU01 , 5F033VV07 , 5F033VV13 , 5F033VV15 , 5F033XX10 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048CB04 , 5F048DA25 , 5F110AA04 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110BB09 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD21 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HL04 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110NN71 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-411210 出願人：日立金属株式会社, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
容量型半導体センサ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-061564 出願人：株式会社デンソー
陽極接合型密閉ケース及び陽極接合型デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-415160 出願人：株式会社村田製作所

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審査官引用 (7件)

特開平3-094169
チップサイズパッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-089579 出願人：松下電工株式会社
超音波トランスデューサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-096615 出願人：株式会社日立製作所

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