基材上のインプリント構造物の大きさを減少させる方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人SSINPAT
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-175558
公開番号（公開出願番号）：特開2011-068126
出願日： 2010年08月04日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】一つまたはそれ以上の従来の不都合を克服できる、または少なくとも改善できる、ナノスケールの大きさで基材を製造する方法を提供する。【解決手段】(a)無機部分と該無機部分の融点よりも低い気化温度を有するポリマー部分を含む無機-有機化合物から形成されるインプリント構造物21aを表面上に少なくとも一つ有する基材30を提供する工程;および(b)無機部分の少なくとも一部分が前記インプリント構造物中に実質的に連続な無機相を形成できるようにしながらポリマー部分の少なくとも一部分を選択的に除去して、ポリマー部分の少なくとも一部分をインプリント構造物21aから除去することによりインプリント構造物の大きさを減少させる工程;を含むことを特徴とする基材上のインプリント構造物の大きさを減少させる方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)無機部分と該無機部分の融点よりも低い気化温度を有するポリマー部分を含む無機-有機化合物から形成されるインプリント構造物を表面上に少なくとも一つ有する基材を供する工程;および (b)無機部分の少なくとも一部分が実質的に連続な無機相をインプリント構造物中に形成できるようにしながらポリマー部分の一部分を選択的に除去して、インプリント構造物からポリマー部分の少なくとも一部分を除去することによりインプリント構造物の大きさを減少させる工程; を含むことを特徴とする基材上のインプリント構造物の大きさを減少させる方法。

IPC (2件)：

B29C 59/02 , H01L 21/027

FI (3件)：

B29C59/02 Z , H01L21/30 502D , H01L21/30 570

Fターム (15件)：

4F209AA21 , 4F209AA43 , 4F209AA44 , 4F209AF01 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PN06 , 4F209PN09 , 4F209PW05 , 4F209PW06 , 5F046AA17 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

Low-K誘電機能インプリンティング材料
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-537939 出願人：モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
インプリント材料およびそれを用いたパタン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-270148 出願人：株式会社東芝
有機無機ハイブリッド材料とナノインプリント技術を用いた微細構造体の製造方法および微細構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-362858 出願人：株式会社アイテス

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