特許
J-GLOBAL ID：201103077552791351
シリコン単結晶製造方法および半導体形成用ウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078666
公開番号（公開出願番号）：特開2000-154095
特許番号：特許第4467096号
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式
2.0×(1-exp(-15.35×(V/G-0.15)))2.5 <C.R.<2
、0.15<V/G≦0.25、及び C.R.≧0.54
(ここで、Vは引き上げ速度(mm/min)、Gは固液界面近傍(欠陥パターンが決まる温度領域)の軸方向温度勾配(°C/mm)、C.R.は1120°C付近(ボイド欠陥形成温度領域)の冷却速度(°C/min)を表す。)
を満たす条件で引き上げることを特徴とする直径200mm以上のシリコン単結晶製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/20 ( 200 6.01)
, C30B 33/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/324 ( 200 6.01)
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
, C30B 33/02
, H01L 21/324 X
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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