特許
J-GLOBAL ID：201103078689929233

グラフェントランジスタおよびその製造方法

発明者：
田邉 真一

田邉 真一 について

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日比野 浩樹

日比野 浩樹 について

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永瀬 雅夫

永瀬 雅夫 について

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関根 佳明

関根 佳明 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-037004
公開番号（公開出願番号）：特開2011-175996
出願日： 2010年02月23日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：
【課題】グラフェンから成るチャネルの損傷が少なく、チャネルの抵抗を十分に変調でき、しかもリーク電流の少ないグラフェントランジスタおよびこのようなグラフェントランジスタを簡便な手法により製造する方法を提供する。【解決手段】グラフェン膜から成るチャネル120の上に、スピンコートにより形成された高分子膜130と、高分子膜130の上に形成された酸化物膜140とから成る絶縁膜が設けられている。このように、スピンコートにより高分子膜130を形成しているので、酸化物膜140を形成する際にチャネル120の上に形成された高分子膜130がチャネル120を保護し、チャネル120が損傷してしまうことを抑制できる。また、高分子膜130および酸化物膜140の厚さを調整することによって絶縁膜の静電容量および厚さを調整することができ、チャネル120の抵抗を十分に変調でき、しかもリーク電流が少ないグラフェントランジスタ100を得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 この基板の上に形成されたグラフェン膜から成るチャネルと、 このチャネルを覆うように形成された絶縁膜と、 この絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極をはさんで各々が前記チャネルと電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と を備え、 前記絶縁膜は、前記チャネルを覆うようにスピンコートにより形成された第1絶縁膜およびこの第1絶縁膜の上に形成された酸化物から成る第2絶縁膜から構成される ことを特徴とするグラフェントランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/06
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T
Fターム (34件)：
5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ14
引用特許：
審査官引用 (5件)
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