酸化物超電導体の製造方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：阿仁屋節雄 , 清野仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029154
公開番号（公開出願番号）：特開2000-226298
特許番号：特許第4061358号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】所定の組成比の前駆体を半溶融状態にした後に種結晶を接触させて結晶成長させる工程を有する酸化物超電導体の製造方法において、前記種結晶を支持棒の先端に、SiO2が1%未満であるセラミックス系接着剤を介して取り付けて前記前駆体に接触させるようにし、前記支持棒は、先端部が他の部分と別体に構成されており、他の部分に対して自由度をもって取り付けられており、該先端部の先端にSiO2が1%未満であるセラミックス系の接着剤を介して種結晶が取り付けられていることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (1件)：