特許
J-GLOBAL ID：201103079772616960

電界効果トランジスタ

発明者：
大巻 雄治

大巻 雄治 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-272851
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119304
出願日： 2009年11月30日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】オン抵抗の上昇を抑制しつつ閾値電圧を大きくできる電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】キャリア走行層13である第1窒化物半導体層13と、第1窒化物半導体層13の上に設けられた、第1窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第2窒化物半導体層14と、第2窒化物半導体層14の上に順に設けられた、InGaN16層と、p型窒化物半導体層18と、ゲート電極22とを備える電界効果トランジスタであって、InGaN層16は、ゲート電極22直下の表面に第1の凹部19を有する。これにより、オン抵抗を一定に抑えつつ、閾値電圧を大きくすることができ、ノーマリオフ型のトランジスタが実現できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
キャリア走行層である第1窒化物半導体層と、 前記第1窒化物半導体層の上に設けられた、前記第1窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第2窒化物半導体層と、 前記第2窒化物半導体層の上に順に設けられた、 InGaN層と、 p型窒化物半導体層と、 ゲート電極と、 を備える電界効果トランジスタであって、 前記InGaN層は、前記ゲート電極側に面した直下の表面に、第1の凹部を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q ,  H01L21/28 301B
Fターム (45件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ05 ,  5F102GR01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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