特許

J-GLOBAL ID：201103080169660694

Znがドープされた3B族窒化物結晶、その製法及び電子デバイス

発明者： 岩井 真 ,  東原 周平 ,  今井 克宏 ,  森 勇介 ,  北岡 康夫 ,  永井 誠二 ,  佐藤 峻之
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  豊田合成株式会社 ,  森 勇介 ,  北岡 康夫
代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-160718
公開番号（公開出願番号）：特開2011-068548
出願日： 2010年07月15日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】高抵抗且つ低転位密度のZnドープ3B族窒化物結晶を提供する。【解決手段】本発明のZnドープ3B族窒化物結晶は、比抵抗が1×102Ω・cm以上、3B族窒化物結晶中のZn濃度が1.0×1018atoms/cm3以上2×1019atoms/cm3以下、エッチピット密度が5×106/cm2以下のものである。この結晶は、液相法(Naフラックス法)により得ることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

室温における比抵抗が1×102Ω・cm以上、3B族窒化物結晶中のZn濃度が1.0×1018atoms/cm3以上2×1019atoms/cm3以下、エッチピット密度が5×106/cm2以下である、Znドープ3B族窒化物結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/10

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B19/10

Fターム (19件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA27 ,  4G077QA34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• Znがドープされた3B族窒化物結晶、その製法及び電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-167901   出願人：日本碍子株式会社, 豊田合成株式会社, 森勇介
• 高抵抗GaN結晶層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-058829   出願人：古河電気工業株式会社
• 絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-241581   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of GaN crystals by Na flux LPE method