特許
J-GLOBAL ID：201103080533993947
微細化工程により形成するコンタクトストラクチャの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-126298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-346878
特許番号：特許第4434426号
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 コンタクトターゲットと電気的接続を確立するためのコンタクトストラクチャの製造方法において、
シリコン基板または誘電体基板上に凹(グルーブ)部を形成するステップと、
その凹部にサクリフィシアル(犠牲)材を充填して犠牲部を形成するステップと、
犠牲部が形成された上記基板上にフォトレジスト層を形成するステップと、
そのフォトレジスト層の上に、コンタクタを形成するためのエリアを規定するパターンを有するフォトマスクを配置するステップと、
そのフォトマスクのパターンに基づいてフォトレジスト層を露光し、露光後フォトレジストを除去することにより、当該フォトレジスト層にコンタクタを形成するエリアを形成するステップと、
そのフォトレジスト層のコンタクタを形成するエリアに導電材料を堆積するステップと、
上記フォトレジスト層の形成から導電材料の堆積までのステップを繰り返して、所定形状のコンタクタを形成するステップと、
上記基板上のフォトレジスト層を除去するステップと、
上記凹部から犠牲部を除去するステップと、を有し、
上記コンタクタは、水平部とその水平部の一端に垂直に形成された接触部とにより構成され、
コンタクタがコンタクトターゲットに対して押されたとき、コンタクタの水平部が接触力を生成することを特徴とするコンタクトストラクチャの製造方法。
IPC (3件)：
G01R 1/073 ( 200 6.01)
, G01R 31/26 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
G01R 1/073 F
, G01R 31/26 J
, H01L 21/66 B
