特許
J-GLOBAL ID：201103080786837879
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298849
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110164
特許番号：特許第3916908号
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 磁化自由層としての磁性積層膜と、
磁化固着層としての強磁性体膜と、
前記磁性積層膜と前記強磁性体膜との間に設けられた絶縁膜と、
を備え、前記絶縁膜をトンネルして前記磁性積層膜と前記強磁性体膜との間に電流が流れるトンネル接合型の磁気抵抗効果素子であって、
その平面形状は、端部の幅が中央部の幅よりも広い形状であり、
前記磁性積層膜は、第1の強磁性体層と、第2の強磁性体層と、これら第1及び第2の強磁性体層の間に挿入された反強磁性体層と、を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, G11B 5/39 ( 200 6.01)
, G01R 33/09 ( 200 6.01)
H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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