特許
J-GLOBAL ID：201103080909958714
接合ウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153404
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340477
特許番号：特許第4550183号
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 活性ウェーハとベースウェーハが接合して成る接合ウェーハの製造方法において、熱処理室の内部に活性ウェーハとベースウェーハの結合体が配置されている状態で、第1の熱処理用雰囲気ガスを利用した第1段階目の熱処理を施して上記結合体の表面に酸化膜を形成し、次に、上記第1段階目の熱処理工程における上記酸化膜の形成速度よりも酸化膜の形成速度が速くなる第2の熱処理用雰囲気ガスを利用した第2段階目の熱処理を施して上記結合体の酸化膜を成長させるという如く、酸化レートが互いに異なる熱処理用雰囲気ガスを用いて少なくとも2段階で熱処理を行って上記結合体の表面に酸化膜を形成する構成と成し、前記第1の熱処理用雰囲気ガスは、酸素ガスのみのガスよりも酸化膜の形成速度が遅いガスであり、第2の熱処理用雰囲気ガスは、酸素ガスのみのガスよりも酸化膜の形成速度が速いガスであることを特徴とする接合ウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
H01L 21/02 B
, H01L 21/316 S
, H01L 27/12 B
