半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-106508
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299324
特許番号：特許第3356108号
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 SSTを用いて、動作速度が速いバイポーラ・トランジスタを有する半導体装置を製造する方法であって、後工程にてベース電極となるシリコン膜を、拡散層を含む領域上に、ベース電極を支える絶縁膜の膜厚の50〜80%の膜厚で成長させた後、前記シリコン膜を酸化させずに熱処理を加え、ドーパントを拡散させて前記シリコン膜の一部を低抵抗化してベース電極を形成し、ドーパントを含んでいない部分の前記シリコン膜はエッチングされるが、ドーパントを含んでいるベース電極用シリコン膜はエッチングされない薬液を用いて、エッチング処理を行うことにより、前記ベース電極以外の前記シリコン膜をエッチング除去し、第1のベース拡散層となる不純物を注入し、熱処理により前記ベース電極からの拡散により第2のベース拡散層を形成し、前記熱処理により、前記第1のベース拡散層と前記第2のベース拡散層が接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/331 , H01L 29/732

FI (1件)：

H01L 29/72 S

引用特許：

審査官引用 (12件)

バイポーラトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-096249 出願人：三星電子株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-061389 出願人：日本電気株式会社
バイポーラトランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-229612 出願人：ソニー株式会社

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