特許
J-GLOBAL ID：201103081611285497

基板スライス方法

発明者：
池野 順一

池野 順一 について

, 
国司 洋介

国司 洋介 について

, 
鈴木 秀樹

鈴木 秀樹 について


出願人/特許権者：
国立大学法人埼玉大学

国立大学法人埼玉大学 について

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信越ポリマー株式会社

信越ポリマー株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-206370
公開番号（公開出願番号）：特開2011-060860
出願日： 2009年09月07日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：
【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。【解決手段】基板10上に非接触にレーザ集光手段16を配置する工程と、レーザ集光手段16により、基板10表面にレーザ光を照射し、基板10内部にレーザ光26を集光する工程と、レーザ集光手段16と基板10を相対的に移動させて、基板10内部に改質層12を形成する工程と、基板10側壁に改質層12を露出させる工程と、改質層12をエッチングする工程とを有する基板スライス方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、 前記レーザ集光手段により、前記基板表面にレーザ光を照射し、前記基板内部にレーザ光を集光する工程と、 前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に改質層を形成する工程と、 前記基板側壁に前記改質層を露出させる工程と、 前記改質層をエッチングする工程と を有することを特徴とする基板スライス方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/38 ,  H01L 21/306 ,  B28D 5/00
FI (5件)：
H01L21/304 611Z ,  B23K26/40 ,  B23K26/38 320 ,  H01L21/306 C ,  B28D5/00 Z
Fターム (14件)：
3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069CA04 ,  3C069EA01 ,  3C069EA02 ,  4E068AE01 ,  4E068DA10 ,  5F043AA02 ,  5F043AA05 ,  5F043BB02 ,  5F043BB06 ,  5F043BB12 ,  5F043FF10 ,  5F043GG01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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