特許
J-GLOBAL ID：200903063692181880

半導体ウエーハのエッチング方法

発明者：
吉田 正彦

吉田 正彦 について

, 
宮崎 誠一

宮崎 誠一 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について

, 
長野電子工業株式会社

長野電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104373
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266194
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 エッチング作用のあるアルカリ洗浄液を使用することなく、表面が高度に清浄で、重金属汚染もなく、ピットの発生もない半導体ウエーハが得られる半導体ウエーハのエッチング方法を提供する。【解決手段】 実施例では、ラッピング直後のシリコン単結晶ウエーハについて、いずれも常温の処理液により第1エッチング工程、第2エッチング工程、リンス工程の順に処理した。第1エッチング工程、第2エッチング工程では、それぞれウエーハをフッ化水素酸:3、硝酸:5、酢酸:3の混合液中で回転させ、リンス工程では、ウエーハを超純水に浸漬するとともに超純水に超音波を照射した。その結果、ウエーハ表面にピットが発生せず、しかもウエーハを常温のNaOH水溶液に1回浸漬した後、常温の超純水でリンスする従来の洗浄方法と同等に優れた洗浄結果が得られた。
請求項（抜粋）：
酸液を貯溜したエッチング槽を2槽設け、ラッピング後の半導体ウエーハを1段目、ついで2段目のエッチング槽内の酸液に浸漬してエッチングを行うことを特徴とする半導体ウエーハのエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  C23F 1/08 103 ,  C23F 1/24
FI (3件)：
H01L 21/306 B ,  C23F 1/08 103 ,  C23F 1/24
引用特許：
審査官引用 (16件)
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