特許
J-GLOBAL ID：201103081839329702

レジストパターンの製造方法、及びこれから得られるレジストパターン

発明者：
市川 幸司

市川 幸司 について

, 
平岡 崇志

平岡 崇志 について

, 
宮川 貴行

宮川 貴行 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (4件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰 ,  植木 久彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-150361
公開番号（公開出願番号）：特開2011-007965
出願日： 2009年06月24日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】CD均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。【解決手段】レジストパターンの製造方法であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂(A)と酸発生剤(B)とを含有するレジスト組成物を、基体上に塗布してレジスト膜を得る工程と、レジスト膜を温度TPBでプリベーク(PB)する工程と、プリベークしたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を温度TPEBでポストエクスポージャーベーク(PEB)する工程と、ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程とを含み、TPEB≦85°C且つ0°C<TPB-TPEB<25°Cであることを特徴とする製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
レジストパターンの製造方法であって、 酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂(A)と酸発生剤(B)とを含有するレジスト組成物を、基体上に塗布してレジスト膜を得る工程と、 レジスト膜を温度TPBでプリベーク(PB)する工程と、 プリベークしたレジスト膜を露光する工程と、 露光したレジスト膜を温度TPEBでポストエクスポージャーベーク(PEB)する工程と、 ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程とを含み、 TPEB≦85°C且つ0°C<TPB-TPEB<25°Cであることを特徴とする製造方法。
IPC (5件)：
G03F 7/38 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/02
FI (7件)：
G03F7/38 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 568 ,  C08F220/02
Fターム (52件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ75X ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN65P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM21P ,  4J100AM21Q ,  4J100AM21R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA16R ,  4J100BA40R ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38 ,  5F046JA24 ,  5F046LA13
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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