特許
J-GLOBAL ID:200903065386600325
ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-114190
公開番号(公開出願番号):特開2009-265332
出願日: 2008年04月24日
公開日(公表日): 2009年11月12日
要約:
【課題】新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分(A)が、一般式(a0-1)で表される構成単位および一般式(a0-2)で表される構成単位を有する高分子化合物(A1)を含有する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0-1)および下記一般式(a0-2)で表される構成単位(a0-2)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
, C08F 220/26
FI (4件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
, C08F220/26
Fターム (46件):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025DA01
, 2H025FA01
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100BA02P
, 4J100BA03S
, 4J100BA04P
, 4J100BA11P
, 4J100BA15P
, 4J100BA20R
, 4J100BA40S
, 4J100BB18S
, 4J100BC02Q
, 4J100BC03P
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04P
, 4J100BC04Q
, 4J100BC04S
, 4J100BC08P
, 4J100BC08S
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09S
, 4J100BC12P
, 4J100BC53R
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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