半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲垣清 , 大澤斌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325223
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144371
特許番号：特許第4043672号
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】バンドギャップ・エネルギーEg1 を有する半導体基板上に、Eg1 >Eg2 のバンドギャップ・エネルギーEg2 を有する活性層を結晶成長させてなる半導体レーザ素子において、活性層で発振したレーザ光を吸収する吸収媒質層が、半導体基板の裏面に形成されており、吸収媒質層が、半導体基板の裏面に形成された金属電極層と、半導体基板との合金化反応により形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (1件)：