六方晶炭化ケイ素単結晶の(0001)面に酸化膜を形成する方法。

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 桜井周矩 , 神田藤博 , 田中英夫 , 細川伸哉 , 深澤憲広 , 平山晃二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192162
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016060
特許番号：特許第4200515号
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】六方晶炭化ケイ素単結晶の(0001)面にMOS構造を作製する際に、所定の温度で乾燥酸素雰囲気にて結晶表面を酸化し、次いで水素を注入して酸素と水素の直接反応で水分子を生成させて得られた水蒸気雰囲気にて酸化後、水素流量を低下させるとともに温度を酸化温度以上の温度に上昇させて酸化結晶の焼鈍を行うことを特徴とする六方晶炭化ケイ素単結晶の(0001)面に酸化膜を形成する方法。

IPC (2件)：