MIS型半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180738
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082813
特許番号：特許第4047492号
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体層の表面に平行な底面と直角よりも緩やかな角度で前記底面と接続する側壁を持つ凹部を有する半導体層と、前記凹部内表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されエッジが前記凹部の側壁上にあるゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜を挟んで相対し且つ底部が前記凹部の底面であるチャネル面よりも上に位置するように前記凹部の側壁に沿って前記半導体層中に形成された第1のソース・ドレイン領域と、前記ゲート電極に対して前記第1のソース・ドレイン領域よりも外側に形成され、且つ前記第1のソース・ドレイン領域に接触するように前記半導体層の表面に形成された第2のソース・ドレイン領域と、前記第2のソース・ドレイン領域に接続する配線コンタクトとを具備してなり、前記第1のソース・ドレイン領域の少なくとも一方と前記ゲート電極とが前記絶縁膜を挟んで相対する領域が蓄積層として動作するものであることを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/78 301 V , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-051581 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-268301 出願人：日本ビクター株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-223842 出願人：株式会社日立製作所

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