特許
J-GLOBAL ID：201103085641942730

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
奥村 智洋

奥村 智洋 について

, 
松田 出

松田 出 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068302
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257199
特許番号：特許第3438696号
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられたアンテナに、周波数50MHz乃至3GHzの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、アンテナの中心付近と真空容器とをショートピンによって短絡し、ショートピンを貫通するフィードスルーから真空容器内にガスを供給し、アンテナの中心とも周辺とも異なる一部位に高周波電圧を給電した状態で基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
B01J 19/08 E ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 101 B
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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