紫外線発光デバイス及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：平山一幸 , 平山一幸 , 海津保三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174723
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007385
特許番号：特許第3590883号
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体pn接合に順方向電圧を印加することにより発光する発光デバイスにおいて、ダイヤモンド(100)基板上に、0.38eVのドナーレベルを有するイオウドープn型ダイヤモンド半導体結晶とp型ダイヤモンド半導体結晶とからなるpn接合を備えており、上記n型ダイヤモンド半導体結晶が、揮発性炭化水素とイオウ化合物と水素とから成る混合ガスを原料ガスとしたマイクロ波プラズマCVDによりエピタキシャル成長して形成されたことを特徴とする、紫外線発光デバイス。

IPC (3件)：