半導体膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：島村芳明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369499
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185486
特許番号：特許第4019584号
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁性基板上に非結晶シリコン膜を形成する第1工程と、圧力が0.5〜5MPaで温度が300〜700°Cの、水蒸気を含む雰囲気中に微細なニッケル塩粒子が浮遊した状態で前記非結晶シリコン膜を熱処理することによって、ニッケルが触媒となって非結晶シリコン膜が結晶化すると同時にシリコンの酸化も進行し、酸化によって多結晶シリコン膜の改質を行うとともに、多結晶シリコン膜の表面に酸化シリコン膜を形成する第2工程とを有することを特徴とする半導体膜の形成方法。

IPC (3件)：