低歪率インダクタンス素子および受動回路装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：一色国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-319475
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124030
特許番号：特許第4227740号
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】環状の閉磁路を形成する軟磁性コアにコイルを巻回して必要なインダクタンス値を持つようにした低歪率インダクタンス素子であって、上記コアに未飽和領域でのB-Hカーブが直線性を有するとともに、比透磁率が1000以上の高透磁率磁性体を使用し、上記コアに形成される最短閉磁路の長さに対する最長閉磁路の長さの比を1.3以下とし、かつ、上記閉磁路の幅に対する厚みの比を3以上10以下とすることにより、上記磁性材料の特性から理論的に期待されるB-Hカーブにきわめて近い直線性を得るようにしたことを特徴とする低歪率インダクタンス素子。

IPC (1件)：