特許
J-GLOBAL ID：201103088300216666

半導体集積回路

発明者：
金指 和幸

金指 和幸 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 古谷 史旺 ,  森 俊秀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088390
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273762
特許番号：特許第4588158号
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 メモリセルと、 書き込みコマンドに対応して供給される書き込みアドレスを書き込み保持アドレスとして保持するアドレス保持部と、 前記書き込みコマンドに対応して供給される書き込みデータを、書き込み保持データとして保持するとともに、次の書き込みコマンドを受けたときに、該書き込み保持データを、前記書き込み保持アドレスに対応する前記メモリセルに書き込むデータ保持部と、 読み出しコマンドに対応して供給される読み出しアドレスと、前記書き込み保持アドレスとを、複数ビットずつ比較する複数のアドレス比較器を有するアドレス比較部と、 前記アドレス比較部の比較結果に応じて、前記書き込み保持データまたは前記メモリセルからの読み出しデータのいずれかを出力するデータ選択部とを備え、 前記アドレス比較部は、行アドレスおよび列アドレスにそれぞれ対応する前記アドレス比較器を備え、 前記行アドレスおよび前記列アドレスの一部は、同一のアドレス端子から順次に供給され、 前記列アドレスに対応する前記アドレス比較器は、行アドレスに対応する前記アドレス比較器の比較結果を受けて動作することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
G11C 11/401 ( 200 6.01) ,  G11C 11/408 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G11C 11/34 362 C ,  G11C 11/34 354 B
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
  • シンクロナスランダムアクセスメモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-326919   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-178464   出願人：株式会社東芝
  • メモリ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330063   出願人：株式会社リコー
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM