特許
J-GLOBAL ID：201103088699474698
ウエハ画像化と処理の方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-502194
公開番号（公開出願番号）：特表2011-516374
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：
切断されたまま、又は一部工程の終了した、多結晶シリコンウェハなどのバンドギャップ材料からルミネセンス画像を撮影する(2)一方法(1)が開示される。この画像は次に処理されて(3)、バンドギャップ材料中にある転位などの欠陥に関する情報を提供する。得られた情報は、バンドギャップ材料から製造される太陽電池の、開放電圧、及び短絡電流のような、種々の主要パラメータの予測に利用される(4)。この情報は、バンドギャップ材料の分類へも利用することが可能である。この方法は、バンドギャップ材料中の欠陥密度の低減を目的とする、アニールなどの追加プロセス工程の調整又は効果の評価に利用することも可能である。
請求項（抜粋）：
バンドギャップ材料の解析を実行する方法であって、
(a)前記バンドギャップ材料のルミネセンス画像を撮影し、
(b)前記バンドギャップ材料中の欠陥に関する情報を取得するために、前記画像を処理し、
(c)前記バンドギャップ材料の分類を行うために、前記情報を利用する、
ステップを含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/06 Z
, H01L31/04 H
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CE03
, 4G077CF10
, 4G077FB01
, 4G077FE11
, 4G077FG11
, 4G077FJ07
, 4G077GA01
, 4G077GA02
, 4G077GA06
, 4G077HA01
, 4G077HA12
, 5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151GA04
, 5F151GA20
, 5F151KA10
