特許
J-GLOBAL ID：201103088838603252

アルキルシラン積層体及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ

発明者：
串田 尚

串田 尚 について

, 
内藤 裕義

内藤 裕義 について


出願人/特許権者：
帝人株式会社

帝人株式会社 について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知 ,  蛯谷 厚志 ,  関根 宣夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-123030
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249666
出願日： 2010年05月28日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：
【課題】優れた半導体特性を有する有機半導体膜を得ることを可能にするアルキルシラン積層体を提供する。このような積層体は、有機薄膜トランジスタのために有用に使用できる。【解決手段】表面に水酸基を有する下地層(Sub)、及びこの下地層上に形成されているアルキルシラン薄膜(AS)を有する、アルキルシラン積層体であって、アルキルシラン薄膜の臨界表面エネルギーEcとアルキルシランの炭素数xとが下記の式(1)を満たす、アルキルシラン積層体とする:Ec≦29.00-0.63x (mN/m)(1)。また、このようなアルキルシラン積層体(Sub、AS)を有する薄膜トランジスタ(10)とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に水酸基を有する下地層、及び前記下地層上に形成されているアルキルシラン薄膜を有する、アルキルシラン積層体であって、前記アルキルシラン薄膜の臨界表面エネルギーEcとアルキルシランの炭素数xとが下記の式(1)を満たす、アルキルシラン積層体: Ec≦29.00-0.63x (mN/m) (1)
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U
Fターム (34件)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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