化合物半導体エピタキシャルウェハ及びHEMT

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-148618
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326345
特許番号：特許第3840036号
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaAs基板上に、バッファ層、AlGaAsからなる下側電子供給層、GaAsもしくはInGaAsからなる電子走行層、AlGaAsからなる上側電子供給層及び全体にAlGaAsからなるショットキー層が順次形成されたダブルヘテロダブルドープHEMT構造の化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記下側電子供給層の直下のバッファ層は、上記下側電子供給層のAl組成以上のAlGaAsバッファ層であり、該AlGaAsバッファ層の厚さが100〜300nmの範囲内にあり、p濃度が1E16〜5E16cm-3の範囲内にあり、かつAl組成が0.28より大きく0.4以下の範囲内にあることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (3件)：