特許
J-GLOBAL ID：201103090015187851
パターン形成方法、それを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
本多 一郎
, 杉本 由美子
, 森 俊晴
, 小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-285136
公開番号（公開出願番号）：特開2001-109152
特許番号：特許第4368472号
出願日： 1999年10月06日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に感光性材料の薄膜を形成する工程、前記薄膜を波長10〜200nmの放射線に選択的に露光させる工程、及び前記露光部又は未露光部を現像処理して選択的に除去する工程を含む微細パターン形成方法において、前記感光性材料として、その中に含まれる総原子数、炭素原子数及び酸素原子数から次式に従って求められるK値が3.3以下、
K=総原子数/(炭素原子数-酸素原子数)
薄膜形成後の膜中残留応力15MPa/μm以下、放射線に対する吸収係数1/μm以下のものを用い、
前記感光性材料がシクロオレフィン系樹脂を主成分としてなり、
さらに、前記感光性材料に、コール酸エステルおよびリトコール酸エステルよりなる群から選ばれる一種以上の応力低下剤を10重量%以上添加してなることを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
