特許
J-GLOBAL ID:201103090205275501
真空蒸着装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
石島 茂男
, 阿部 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-099609
公開番号(公開出願番号):特開2011-231343
出願日: 2010年04月23日
公開日(公表日): 2011年11月17日
要約:
【課題】成膜室の真空槽内で従来より効率的に成膜マスクから付着物を除去できる真空蒸着装置を提供する。【解決手段】 真空槽11内に配置され、薄膜材料45の蒸気を放出する放出容器31に、ガス供給装置50から反応ガスを導入する。放出容器31の放出孔34から放出される反応ガスは成膜マスク21の付着物と反応して反応生成物ガスを形成し、反応生成物ガスは真空排気される。放出容器31と成膜マスク21との間に電圧を印加して反応ガスをプラズマ化することもできる。成膜マスク21に周期的に負電位を印加すると、プラズマ中のイオンが成膜マスク21に引き寄せられて衝突するのでより効率的に付着物を除去できる。成膜マスク21に負電位を印加する間に放出容器31に負電位を印加すると、放出容器31からも付着物を効率的に除去できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
真空槽と、
前記真空槽に接続され、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、
前記真空槽内に配置され、壁面に放出孔が設けられた放出容器と、
前記放出容器に接続され、前記放出容器内に薄膜材料の蒸気を導入可能に構成された蒸発源と、
前記放出容器の前記放出孔と離間して対面する位置に成膜マスクを保持するように構成されたマスク保持部と、
を有する真空蒸着装置であって、
前記放出容器に接続され、前記成膜マスクの付着物と反応して反応生成物ガスを形成する反応ガスを前記放出容器内に導入可能に構成されたガス供給装置を有する真空蒸着装置。
IPC (4件):
C23C 14/24
, C23C 14/00
, H05B 33/10
, H01L 51/50
FI (4件):
C23C14/24 G
, C23C14/00 B
, H05B33/10
, H05B33/14 A
Fターム (22件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107CC45
, 3K107FF16
, 3K107FF17
, 3K107GG04
, 3K107GG28
, 3K107GG32
, 3K107GG33
, 3K107GG42
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BB03
, 4K029CA01
, 4K029DA09
, 4K029DA10
, 4K029DB03
, 4K029DB06
, 4K029DB18
, 4K029FA09
, 4K029HA01
引用特許:
出願人引用 (6件)
-
蒸着装置およびその運転方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-268828
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-078667
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
真空蒸着装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-139110
出願人:キヤノン株式会社
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