透明導電膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-069791
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171304
出願日： 2011年03月28日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】実用可能な耐湿性と、透明導電膜として必要な特性を備え、しかも経済性に優れた、ZnO系の透明導電膜を提供する。【解決手段】ZnOにIII族元素酸化物をドーピングして基体上に成長させた透明導電膜において、ZnO(002)ロッキングカーブ半値幅が13.5°以上であるようにする。 III族元素酸化物のドーピング量を、透明導電膜中のIII族元素酸化物の割合が7〜40重量%となるように、ZnOにIII族元素酸化物をドープさせる。透明導電膜を、SiNx薄膜を介して、基体上に形成する。基体にバイアス電圧を印加しながら、薄膜形成方法により基体上に透明導電膜を形成する。【選択図】図15

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛(ZnO)にIII族元素をドーピングして基体上に成長させた透明導電膜であって、ZnO(002)ロッキングカーブ半値幅が13.5°以上であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (2件)：

H01B 5/14 , C23C 14/08

FI (2件)：

H01B5/14 A , C23C14/08 C

Fターム (18件)：

4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029AA25 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BC09 , 4K029CA05 , 4K029CA13 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC15 , 4K029DC34 , 5G307FA01 , 5G307FA02 , 5G307FB01 , 5G307FC04

引用特許：

出願人引用 (6件)

透明導電膜および光電変換半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-246666 出願人：松下電器産業株式会社
透明導電体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-184556 出願人：積水化学工業株式会社
有機EL素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-230408 出願人：ティーディーケイ株式会社

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審査官引用 (8件)

特許第2695605号
特公平3-072011
特公平4-000929

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