特許
J-GLOBAL ID:201103091458050995
錫-ビスマス合金メッキ装置及びメッキ方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
栗原 浩之
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-303347
公開番号(公開出願番号):特開2003-105597
特許番号:特許第3565556号
出願日: 2001年09月28日
公開日(公表日): 2003年04月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】メッキ槽に保持したメッキ液に浸漬されるアノード及びカソードと、前記アノード及びカソードに電圧を印加する電圧印加手段とを具備し、前記メッキ液中に保持した被メッキ部材に錫-ビスマス合金メッキを施す錫-ビスマス合金メッキ装置において、前記被メッキ部材を前記メッキ槽に保持したメッキ液に浸漬させた状態で当該メッキ槽の長手方向に亘って搬送する搬送手段と、前記メッキ液にビスマス化合物を補充するビスマス補充手段とを具備し、前記アノードが、少なくとも表面がビスマスより貴な材料からなるものであると共に、前記電圧印加手段が、パルス電圧を印加するものであり、前記被メッキ部材が、連続する絶縁フィルムの表面に導電層からなる配線パターンが設けられたフィルムキャリアテープであり、前記メッキ液はビスマスの濃度が10〜20重量%の高濃度組成であり、前記搬送手段により前記被メッキ部材を搬送しながら前記導電層上に連続的に錫-ビスマス合金メッキを施すことを特徴とする錫-ビスマス合金メッキ装置。
IPC (5件):
C25D 17/10
, C25D 5/56
, C25D 7/04
, C25D 21/12
, C25D 21/14
FI (6件):
C25D 17/10 101 A
, C25D 5/56 B
, C25D 7/04
, C25D 21/12 K
, C25D 21/14 C
, C25D 21/14 J
引用特許:
前のページに戻る