酸化物超伝導体の保護方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小倉亘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257510
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073809
特許番号：特許第3886753号
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 450〜600°Cに保持した酸化物超伝導体表面に、酸素濃度7〜80%の活性化酸素プラズマ中でCeO2をスパッタリングして、CeO2膜を形成することを特徴とする酸化物超伝導体の保護方法。

IPC (5件)：

C23C 14/08 ( 200 6.01) , C01G 1/00 ( 200 6.01) , C01G 3/00 ( 200 6.01) , H01B 13/00 ( 200 6.01) , H01L 39/24 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C23C 14/08 L , C23C 14/08 J , C01G 1/00 S , C01G 3/00 ZAA , H01B 13/00 565 D , H01L 39/24 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

超電導薄膜およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-231813 出願人：住友電気工業株式会社
超伝導平面回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-015534 出願人：株式会社移動体通信先端技術研究所
エピタキシャル薄膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-594127 出願人：マイクロコーティングテクノロジーズ,インコーポレイティド

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