特許
J-GLOBAL ID:201103093244770772

マイクロ波を援用した回転可能なPVD

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安齋 嘉章
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-509708
公開番号(公開出願番号):特表2011-521107
出願日: 2009年05月14日
公開日(公表日): 2011年07月21日
要約:
開示された発明は、PVD又はIPVDにおいてイオン化を高めるために同軸マイクロ波アンテナを使用する。同軸マイクロ波アンテナは、電源に従属しているスパッタリングカソード又はターゲットに隣接するプラズマ密度を均一に増加させる。同軸マイクロ波源は電磁波を横電磁波(TEM)モードで生成する。また、本発明はスパッタリングを更に高めるためにスパッタリングカソード又はターゲットの近傍にマグネトロンを使用する。更に、高価なターゲット材料の高い収率を得るために、ターゲットは収率を改善するために回転可能とする。ターゲットは誘電体材料、金属、又は半導体を含む。またターゲットは、ターゲットが回転する中心軸周りに実質的に対称な断面を有する。ターゲットは実質的に円形又は環状の断面を有していてもよい。
請求項(抜粋):
マイクロ波を援用した回転可能なスパッタリング成膜システムであって、前記システムは、 処理チャンバと、 前記処理チャンバ内部に配置される回転可能なターゲットと、 前記回転可能なターゲットと電気的に連通し、前記回転可能なターゲットに電圧を印加するために適用される電源と、 前記回転可能なターゲットの外側に配置されるマイクロ波を生成するための同軸マイクロ波アンテナと、 ガスを前記処理チャンバ内へ供給するために構成されたガスシステムと、 前記基板を把持するために前記処理チャンバ内に構成された基板支持部材とを含むシステム。
IPC (1件):
C23C 14/35
FI (1件):
C23C14/35 F
Fターム (9件):
4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DA06 ,  4K029DC13 ,  4K029DC16 ,  4K029DC27 ,  4K029DC33 ,  4K029DC39 ,  4K029DC44
引用特許:
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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