IGBTとそれを用いた電力変換装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-116406
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295014
出願日： 2005年04月14日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】ターンオフ時に、残留キャリアによるテール電流で生じる損失を低減した信頼性が高いIGBTを提供すること。【解決手段】本発明のIGBTは、コレクタ側に基板よりもキャリア濃度が大きく深いn層をもち、かつコレクタ側に低いスイッチング損失を実現する低注入のp層を備え、コレクタ側のp層のキャリア濃度の最大値が、そのp層に隣接するn層のキャリア濃度の最大値の10から100倍の範囲として、IGBTの逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を低下させることなくターンオフ損失を低減した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有する半導体基体と、前記半導体基体の一方の主表面に隣接し前記半導体基体内に位置する第1導電形の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域に隣接し第1の半導体領域のキャリア濃度より低いキャリア濃度を有する第2導電形の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域と隣接し第2の半導体領域のキャリア濃度より低いキャリア濃度を有する第2導電形の第3の半導体領域と、前記第3の半導体領域と隣接し第3の半導体領域のキャリア濃度より低いキャリア濃度を有する第2導電形の第4の半導体領域と、前記半導体基体の他方の主表面より前記第4の半導体領域内に伸びる複数個の第1導電形の第5の半導体領域と、前記半導体基体の他方の主表面より該第5の半導体領域内に伸びる第2導電形の第6の半導体領域と、前記第4と第6の領域の間の第5の半導体領域の他方の主表面の露出部分に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された第1の電極と、前記第5の半導体領域と第6の半導体領域に接触する第2の電極と、前記第1の半導体領域に接触する第3の電極とを有し、前記第1の半導体領域のキャリア濃度の最大値が、前記第2の半導体領域のキャリア濃度の最大値の10倍〜100倍であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 27/04 , H01L 29/861 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L29/78 655B , H01L29/78 653A , H01L29/78 655A , H01L29/78 657D , H01L29/91 C , H01L29/78 622 , H01L29/78 626Z

Fターム (11件)：

5F110AA30 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD12 , 5F110EE22 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110HJ06 , 5F110HM02 , 5F110HM12

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-344935 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-266476 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-158510 出願人：株式会社日立製作所
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-288249 出願人：株式会社デンソー

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