窒化物半導体の製造方法、結晶成長速度増加剤、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-263604
公開番号（公開出願番号）：特開2008-120672
出願日： 2007年10月09日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】大口径のC面を有する窒化物半導体や、m軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供する。【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード10、窒素元素を含有する溶媒、周期表13族金属元素を含む原料物質9、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ3内の温度および圧力を、溶媒が超臨界状態及び/又は亜臨界状態となるように制御してシード10の表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、シード10上のm軸方向の結晶成長速度をシード10上のc軸方向の結晶成長速度の1.5倍以上にする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

六方晶系の結晶構造を有するシード、窒素元素を含有する溶媒、周期表13族金属元素を含む原料物質、及び鉱化剤を入れた反応容器内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態及び/又は亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法であって、前記シード上のm軸方向の結晶成長速度が前記シード上のc軸方向の結晶成長速度の1.5倍以上であることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 7/10 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (4件)：

C30B29/38 D , C30B7/10 , H01L33/00 C , H01S5/323 610

Fターム (22件)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077CB04 , 4G077ED01 , 4G077ED02 , 4G077EJ09 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077KA01 , 4G077KA03 , 4G077KA05 , 4G077KA07 , 4G077KA09 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA63 , 5F173AH22 , 5F173AP03 , 5F173AQ12 , 5F173AQ14

引用特許：

出願人引用 (5件)

エピタキシャル成長用基板
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-538438 出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
ハイブリッド2次元シンチレータ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-124518 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
開閉器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-221152 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (2件)

窒化物単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-076167 出願人：三菱化学株式会社
エピタキシャル成長用基板
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-538438 出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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