特許
J-GLOBAL ID：201103094396497636
発光ダイオードアレイ
発明者：
,
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
前田 実
, 山形 洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-188229
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008057
特許番号：特許第3886345号
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の第1の半導体エピタキシャル層(24)と、
前記第1の半導体エピタキシャル層(24)に積層された第1導電型の第2の半導体エピタキシャル層(25)とを含む半導体ウエハに、複数の第2導電型の領域(27)を列をなすように形成した発光ダイオードアレイであって、
前記第2導電型の領域(27)はそのフロント面が少なくとも部分的に前記第1の半導体エピタキシャル層(24)内に又は前記第1及び第2の半導体エピタキシャル層の界面に存在し、
前記第2の半導体エピタキシャル層(25)は、そのエネルギーバンドギャップが前記第1の半導体エピタキシャル層(24)よりも大きく、
前記第2の半導体エピタキシャル層(25)は、その第1導電型不純物キャリア濃度が前記第1の半導体エピタキシャル層(24)よりも高く、
前記第2の半導体エピタキシャル層(25)が、前記第1の半導体エピタキシャル層(24)の上側に位置する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードアレイ。
ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
審査官引用 (12件)
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半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-193914
出願人：沖電気工業株式会社
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特開昭52-109884
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発光素子アレイ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-245654
出願人：沖電気工業株式会社
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