半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊藤洋二 , 三浦高広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025410
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223665
特許番号：特許第4206543号
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1のシリコン層(3)と、該第1のシリコン層上に配置された第1の絶縁膜(4)と、第1の絶縁膜上に形成された第2のシリコン層(5)とを有してなるSOI基板(6)と、前記第2のシリコン層に形成され、電源電圧が印加される複数の第1の半導体素子(1)と、前記第2のシリコン層に形成され、接地電位が印加される複数の第2の半導体素子(2)と、前記第2のシリコン層を貫通して前記第1の絶縁膜に達するように形成され、前記複数の第1の半導体素子のそれぞれを別々に囲むように形成された絶縁分離用の複数の第1のトレンチ(20)と、前記第2のシリコン層を貫通して前記第1の絶縁膜に達するように形成され、前記複数の第2の半導体素子のそれぞれを別々に囲むように形成された絶縁分離用の複数の第2のトレンチ(21)と、前記第2のシリコン層を貫通して前記第1の絶縁膜に達するように形成され、前記複数の第1のトレンチを囲む絶縁分離用の第3のトレンチ(23)と、前記第2のシリコン層を貫通して前記第1の絶縁膜に達するように形成され、前記複数の第2のトレンチを囲む絶縁分離用の第4のトレンチ(24)とを有し、前記第3のトレンチと前記第1のトレンチの間における前記第2のシリコン層は、前記電源電圧とされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/08 ( 200 6.01) , H01L 21/76 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/08 331 A , H01L 27/08 331 E , H01L 21/76 L , H01L 29/78 621

引用特許：

出願人引用 (6件)

絶縁物分離半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-258738 出願人：日本電装株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-059356 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-136827 出願人：日本電装株式会社

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審査官引用 (6件)

絶縁物分離半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-258738 出願人：日本電装株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-059356 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-136827 出願人：日本電装株式会社

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