特許
J-GLOBAL ID：201103095318308700
多孔質シリカ系薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中村 静男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-054059
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266068
特許番号：特許第4447846号
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 有機物質を含む、ゾルゲル法で得られたポリオルガノシロキサン薄膜を硬化処理し、次いで焼成処理して多孔質シリカ系薄膜を形成させるに当たり、
前記ポリオルガノシロキサン薄膜として、前記焼成処理の条件下で揮発または分解するポリエーテルを含むものを用い、かつ前記硬化処理を、塩基性物質雰囲気下で行うことを特徴とする多孔質シリカ系薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, C01B 33/12 ( 200 6.01)
, C09D 183/04 ( 200 6.01)
H01L 21/316 G
, C01B 33/12 C
, C09D 183/04
