特許

J-GLOBAL ID：201103095318308700

多孔質シリカ系薄膜の製造方法

発明者： 番場 昭典 ,  辰巳砂 昌弘 ,  忠永 清治 ,  松田 厚範
出願人/特許権者： 宇部日東化成株式会社 ,  辰巳砂 昌弘
代理人 (1件)： 中村 静男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-054059
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266068
特許番号：特許第4447846号
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 有機物質を含む、ゾルゲル法で得られたポリオルガノシロキサン薄膜を硬化処理し、次いで焼成処理して多孔質シリカ系薄膜を形成させるに当たり、 前記ポリオルガノシロキサン薄膜として、前記焼成処理の条件下で揮発または分解するポリエーテルを含むものを用い、かつ前記硬化処理を、塩基性物質雰囲気下で行うことを特徴とする多孔質シリカ系薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  C01B 33/12 ( 200 6.01) ,  C09D 183/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  C01B 33/12 C ,  C09D 183/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-177703   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 多孔質ケイ素酸化物膜の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-313668   出願人：旭化成工業株式会社
• 半導体素子用超低誘電多孔性配線層間絶縁膜およびその製造方法ならびにそれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-131769   出願人：エルジーケムインベストメントエルティーディー.