特許
J-GLOBAL ID：201103095580175095
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257180
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085448
特許番号：特許第3484108号
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に第1絶縁膜を形成する第1工程と、前記第1絶縁膜のゲート形成領域にゲート用開口を形成する第2工程と、前記ゲート用開口が形成された前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する第3工程と、前記第2絶縁膜のゲート形成領域にゲート用開口を形成する第4工程と、前記半導体基板のゲート形成領域にリセスを形成する第5工程と、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜よりも等方性エッチングのレートが遅い第3絶縁膜を前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜上、前記リセス部分に形成する第6工程と、前記ゲート用開口を囲む部分および前記リセスの側壁部分の前記第3絶縁膜を残し、他の部分の前記第3絶縁膜を除去する第7工程と、前記リセス内および前記ゲート用開口部分、前記ゲート用開口の上方部分に、前記ゲート用開口の上方部分の方が前記ゲート用開口部分よりも幅が大きいゲート電極を形成する第8工程と、前記第3絶縁膜に対し前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜を選択的に除去する第9工程とからなる半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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