特許
J-GLOBAL ID：201103096471922847
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-006700
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196541
特許番号：特許第4547753号
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に形成された絶縁膜上に、ポリシリコン膜で形成された高抵抗の第1薄膜ポリシリコン抵抗体と、温度係数が-50ppm/°Cから+50ppm/°Cの範囲である第2薄膜ポリシリコン抵抗体が形成された半導体装置の製造方法で、前記半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上にノンドープドポリシリコン膜を形成する工程と、該ノンドープドポリシリコン膜全面にBF2のイオン注入により第1のボロンを導入する第1のボロン導入工程と、該第1のボロンがドープされたポリシリコン膜に選択的に、前記第1のボロン導入工程で導入された前記第1のボロンと合わせてドーズ量が2.5×1015cm-2ないし3.5×1015cm-2となるようにBF2のイオン注入により第2のボロンを導入する第2のボロン導入工程と、パターニングにより、前記第1のボロンを導入された前記第1薄膜ポリシリコン抵抗体と、前記第1のボロンおよび前記第2のボロンを導入された前記第2薄膜ポリシリコン抵抗体とを形成する工程と、前記第1薄膜ポリシリコン抵抗体および前記第2薄膜ポリシリコン抵抗体上に層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜上にBPSG膜(ボロンドープのリンガラス膜)を形成する工程と、該BPSG膜をリフローする工程とを含み、該リフローのための熱処理温度で、前記第1薄膜ポリシリコン抵抗体および前記第2薄膜ポリシリコン抵抗体に導入された前記第1のボロンおよび前記第2のボロンを活性化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/06 ( 200 6.01)
H01L 27/04 P
, H01L 27/04 C
, H01L 27/06 102 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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