特許
J-GLOBAL ID：201103098030307333

III族窒化物半導体基板及びその製造方法

発明者：
大島 祐一

大島 祐一 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (3件)： 油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-287528
公開番号（公開出願番号）：特開2011-126745
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】段差などの乱れが少ない平坦な劈開面が得られるIII族窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】直径25mm以上、厚さ250μm以上のIII族窒化物半導体基板であって、前記III族窒化物半導体基板の外縁から5mm以内の外周部における少なくとも前記外縁側の部分は、前記III族窒化物半導体基板の主面内の応力が引張応力であり、且つ前記III族窒化物半導体基板の前記外縁側の部分よりも中心側の部分に比べて相対的に引張応力が大きくなっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
直径25mm以上、厚さ250μm以上のIII族窒化物半導体基板であって、 前記III族窒化物半導体基板の外縁から5mm以内の外周部における少なくとも前記外縁側の部分は、前記III族窒化物半導体基板の主面内の応力が引張応力であり、且つ前記III族窒化物半導体基板の前記外縁側の部分よりも中心側の部分に比べて相対的に引張応力が大きくなっていることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/34 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C23C16/34 ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/343 610 ,  H01L21/205
Fターム (43件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA07 ,  4G077EB06 ,  4G077EB10 ,  4G077FG18 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC03 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DA69 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP82 ,  5F173AR84
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM