特許
J-GLOBAL ID:201103098795908963

ガス処理方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 井上 俊夫 ,  水野 洋美
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-253239
公開番号(公開出願番号):特開2000-150368
特許番号:特許第4030691号
出願日: 1999年09月07日
公開日(公表日): 2000年05月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 密閉容器内でガスを用いて基板の表面処理を行うにあたって、 密閉容器内に基板を搬入する工程と、 基板が搬入された密閉容器内を排気しながら該密閉容器内に処理ガスを供給して密閉容器内を処理ガスの雰囲気とする工程と、 続いて前記密閉容器の排気を停止するとともに処理ガスの導入も停止し、その状態で放置する工程と、を含み、 処理ガスの供給及び停止のタイミング制御は密閉容器内の基板の温度に基づいて行うことを特徴とするガス処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  G03F 7/16 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 21/30 563 ,  G03F 7/16 501
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 密着強化処理装置および密着強化処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-103987   出願人:大日本スクリーン製造株式会社
  • 処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-034204   出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 減圧処理装置及び方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-120387   出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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